在现有的切片机硅片线切割中，近35—45 %的硅料被切成微粉和少量的钢线磨损的铁微粉一起随切割砂浆进入循环砂浆体系中，并且大量微粉粘附在85碳化硅表面随砂浆一起参与切割，其结果使砂浆密度和粘度随之增加，影响了砂浆切割能力，并随切割时间增长而下降，用户只能采用每切一刀停机后更换新砂浆来替换废砂浆和补偿砂浆密度的变化，造成大量可用的砂浆一起变成废砂浆，碳化硅加工，增加了更换85碳化硅砂浆成本和设备的维护成本。为了适应未来市场需求及价格的竞争，碳化硅应用，整个行业都在为如何控制辅料环境和降低切割成本而不停地寻找新的途径。
碳化硅（SIC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5～10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅（SI）材料的负载量已到达极限，以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。 根据数据显示，碳化硅 (SiC)电力电子市场是具体而实在，且发展前景良好。这种趋势非但不会改变，碳化硅行业还会进一步向前发展。用户正在尝试碳化硅技术，以应用于具体且具有发展前景的项目。
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